Bu yazıda elektron komponentlərin nasazlıq rejimləri və nasazlıq mexanizmləri öyrənilir və elektron məhsulların dizaynı üçün bəzi istinadlar təmin etmək üçün onların həssas mühitləri verilir.
1. Tipik komponentlərin nasazlıq rejimləri
Seriya nömrəsi
Elektron komponentin adı
Ətraf mühitlə əlaqəli uğursuzluq rejimləri
Ekoloji stress
1. Elektromexaniki komponentlər
Vibrasiya yorğunluqla rulonların qırılmasına və kabellərin boşalmasına səbəb olur.
Vibrasiya, şok
2. Yarımkeçirici mikrodalğalı qurğular
Yüksək temperatur və temperatur zərbəsi qablaşdırma materialı ilə çip arasında, həmçinin qablaşdırma materialı ilə plastik möhürlənmiş mikrodalğalı monolitin çip tutucu interfeysi arasında delaminasiyaya səbəb olur.
Yüksək temperatur, temperatur şoku
3. Hibrid inteqral sxemlər
Zərbə keramika substratının çatlamasına gətirib çıxarır, temperatur zərbəsi kondansatörün son elektrodunun krekinqinə və temperaturun dəyişməsi lehim çatışmazlığına gətirib çıxarır.
Şok, temperatur dövrü
4. Diskret Qurğular və İnteqrasiya Sxemləri
Termal parçalanma, çip lehimləmə çatışmazlığı, daxili qurğuşun bağlanma çatışmazlığı, passivasiya təbəqəsinin qırılmasına səbəb olan şok.
Yüksək temperatur, şok, vibrasiya
5. Rezistiv komponentlər
Əsas substratın qırılması, müqavimətli filmin qırılması, qurğuşun qırılması
Zərbə, yüksək və aşağı temperatur
6. Lövhə səviyyəli dövrə
Çatlamış lehim birləşmələri, qırıq mis dəliklər.
Yüksək temperatur
7. Elektrikli vakuum
İsti telin yorğunluq sınığı.
Vibrasiya
2, tipik komponent uğursuzluq mexanizminin təhlili
Elektron komponentlərin nasazlıq rejimi tək deyil, daha ümumi nəticə əldə etmək üçün tipik komponentlərin həssas ətraf mühitə dözümlülük həddi təhlilinin yalnız nümayəndəsidir.
2.1 Elektromexaniki komponentlər
Tipik elektromexaniki komponentlərə elektrik birləşdiriciləri, relelər və s. daxildir. Qüsur rejimləri müvafiq olaraq iki növ komponentin strukturu ilə dərindən təhlil edilir.
1) Elektrik birləşdiriciləri
Üç əsas bölmənin qabığı, izolyatoru və kontakt gövdəsi ilə elektrik birləşdiricisi, uğursuzluq rejimi əlaqə çatışmazlığı, izolyasiya çatışmazlığı və üç uğursuzluq formasının mexaniki çatışmazlığı ilə ümumiləşdirilir.Kontakt çatışmazlığı üçün elektrik konnektorunun uğursuzluğunun əsas forması, onun fəaliyyətinin uğursuzluğu: ani qırılma və kontakt müqaviməti artır.Elektrik birləşdiriciləri üçün, kontakt müqavimətinin və material keçiricisinin müqavimətinin mövcudluğuna görə, elektrik birləşdiricisi vasitəsilə cərəyan axını olduqda, kontakt müqaviməti və metal material keçirici müqaviməti Joule istiliyi yaradacaq, Joule istiliyi istiliyi artıracaq, nəticədə təmas nöqtəsinin temperaturu, çox yüksək təmas nöqtəsi temperaturu metalın təmas səthinin yumşalmasına, əriməsinə və ya hətta qaynamasına səbəb olacaq, eyni zamanda təmas müqavimətini artıracaq və beləliklə kontakt çatışmazlığına səbəb olacaqdır..Yüksək temperatur mühitinin rolunda təmas hissələri də sürünmə fenomeni görünəcək və təmas hissələri arasında təmas təzyiqi azalacaq.Kontakt təzyiqi müəyyən qədər azaldıqda, kontakt müqaviməti kəskin şəkildə artacaq və nəhayət, zəif elektrik kontaktına səbəb olacaq və nəticədə kontaktın pozulmasına səbəb olacaqdır.
Digər tərəfdən, saxlama, daşıma və işdəki elektrik konnektoru müxtəlif vibrasiya yüklərinə və təsir qüvvələrinə məruz qalacaq, xarici vibrasiya yükünün həyəcan tezliyi və xas tezlikə yaxın elektrik bağlayıcıları elektrik konnektorunun rezonansına səbəb olacaqdır. fenomen, nəticədə təmas hissələri arasında boşluq daha böyük olur, boşluq müəyyən dərəcədə artır, kontakt təzyiqi anında yox olacaq, nəticədə elektrik kontaktı "ani qırılma" ilə nəticələnir.Titrəmədə, zərbə yükündə, elektrik bağlayıcısı daxili gərginlik yaradacaq, gərginlik materialın məhsuldarlığını aşdıqda, maddi ziyan və qırılma meydana gətirəcək;bu uzun müddətli stress rolunda, material da yorğunluq zərər baş verəcək və nəhayət uğursuzluğa səbəb olacaq.
2) Rele
Elektromaqnit releləri ümumiyyətlə nüvələrdən, rulonlardan, armaturlardan, kontaktlardan, qamışlardan və s.Bobinin hər iki ucuna müəyyən bir gərginlik əlavə olunduqca, bobində müəyyən bir cərəyan axacaq, beləliklə elektromaqnit effekti yaradacaq, armatur yayının nüvəyə geri dönməsi üçün elektromaqnit cazibə qüvvəsini aşacaq, hansı öz növbəsində armaturun hərəkət edən kontaktlarını və statik kontaktlarını (adətən açıq kontaktlar) bağlamaq üçün hərəkətə gətirir.Bobin söndürüldükdə, elektromaqnit emiş qüvvəsi də yox olur, armatur yayın reaksiya qüvvəsi altında ilkin vəziyyətinə qayıdacaq, beləliklə hərəkət edən kontakt və orijinal statik kontakt (normal qapalı kontakt) emiş.Bu emiş və sərbəst buraxılması, beləliklə keçirilməsi məqsədinə nail olmaq və dövrədə kəsilmişdir.
Elektromaqnit relelərinin ümumi nasazlığının əsas rejimləri bunlardır: rele normal açıq, rele normal qapalıdır, relenin dinamik yayın hərəkəti tələblərə cavab vermir, relenin elektrik parametrləri zəif həddən artıq olduqda kontaktın bağlanması.Elektromaqnit rele istehsal prosesinin çatışmazlığı səbəbindən, istehsal prosesində bir çox elektromaqnit rele uğursuzluğu gizli təhlükələrin keyfiyyətini, məsələn, mexaniki gərginliyin aradan qaldırılması müddəti çox qısadır, bu da qəlib hissələrinin deformasiyasından sonra mexaniki quruluşa səbəb olur, qalıqların çıxarılması tükənmir. PIND testi uğursuz və ya hətta uğursuzluqla nəticələnir, zavod sınaqları və skrininq istifadəsi ciddi deyil ki, cihazın istifadəyə verilməməsi və s.Tərkibində rele olan avadanlığın layihələndirilməsində nəzərə alınmalı təsir mühitinin uyğunlaşmasına diqqət yetirmək lazımdır.
2.2 Yarımkeçirici mikrodalğalı komponentlər
Mikrodalğalı yarımkeçirici qurğular mikrodalğalı diapazonda işləyən Ge, Si və III ~ V mürəkkəb yarımkeçirici materiallardan hazırlanmış komponentlərdir.Onlar radar, elektron müharibə sistemləri və mikrodalğalı rabitə sistemləri kimi elektron avadanlıqlarda istifadə olunur.Mikrodalğalı diskret cihazın qablaşdırılması, əsas və sancaqlar üçün elektrik əlaqələri və mexaniki və kimyəvi mühafizəni təmin etməklə yanaşı, korpusun dizaynı və seçilməsi zamanı cihazın mikrodalğalı ötürücü xüsusiyyətlərinə mənzilin parazitar parametrlərinin təsirini də nəzərə almalıdır.Mikrodalğalı korpus həm də dövrənin bir hissəsidir, özü də tam giriş və çıxış dövrəsini təşkil edir.Buna görə də, korpusun forması və strukturu, ölçüsü, dielektrik materialı, keçirici konfiqurasiyası və s. komponentlərin mikrodalğalı xüsusiyyətlərinə və dövrə tətbiqi aspektlərinə uyğun olmalıdır.Bu amillər tutum, elektrik qurğusunun müqaviməti, xarakterik empedans və boru korpusunun keçirici və dielektrik itkiləri kimi parametrləri müəyyənləşdirir.
Mikrodalğalı yarımkeçirici komponentlərin ətraf mühitə uyğun uğursuzluq rejimləri və mexanizmləri əsasən qapı metal lavabo və müqavimət xüsusiyyətlərinin pozulmasını əhatə edir.Qapı metal lavabo, qapı metalının (Au) GaAs-a termal olaraq sürətləndirilmiş diffuziyasına bağlıdır, buna görə də bu nasazlıq mexanizmi əsasən sürətlənmiş həyat sınaqları və ya həddindən artıq yüksək temperaturda işləmə zamanı baş verir.Qapı metalının (Au) GaAs-a diffuziya sürəti qapı metal materialının diffuziya əmsalının, temperaturun və materialın konsentrasiyası qradientinin bir funksiyasıdır.Mükəmməl qəfəs quruluşu üçün cihazın performansı normal işləmə temperaturlarında çox yavaş diffuziya sürətindən təsirlənmir, lakin hissəciklərin sərhədləri böyük olduqda və ya çoxlu səth qüsurları olduqda diffuziya sürəti əhəmiyyətli ola bilər.Rezistorlar adətən əks əlaqə sxemləri üçün mikrodalğalı monolit inteqral sxemlərdə istifadə olunur, aktiv cihazların əyilmə nöqtəsini təyin etmək, izolyasiya, güc sintezi və ya birləşmənin sonu, müqavimətin iki strukturu var: metal film müqaviməti (TaN, NiCr) və yüngül qatqılı GaAs nazik təbəqə müqaviməti.Testlər göstərir ki, rütubətin yaratdığı NiCr müqavimətinin deqradasiyası onun uğursuzluğunun əsas mexanizmidir.
2.3 Hibrid inteqral sxemlər
Ənənəvi hibrid inteqral sxemlər, qalın film bələdçi lentinin substrat səthinə görə, nazik film bələdçi lent prosesi qalın film hibrid inteqral sxemlər və nazik film hibrid inteqrasiya sxemlərinin iki kateqoriyasına bölünür: müəyyən kiçik çaplı dövrə lövhəsi (PCB) dövrəsi, çap dövrə səbəbiylə düz board səthində bir keçirici naxış meydana gətirmək üçün film şəklindədir, hibrid inteqral sxemlər olaraq da təsnif edilir.Çox çipli komponentlərin meydana çıxması ilə bu qabaqcıl hibrid inteqral sxem, onun substratın unikal çox qatlı naqil quruluşu və deşikli proses texnologiyası komponentləri istifadə olunan substratın sinonimi olan yüksək sıxlıqlı qarşılıqlı əlaqə strukturunda hibrid inteqral sxemə çevirmişdir. çox çipli komponentlərdə və bunlara daxildir: nazik plyonkalı çox qatlı, qalın plyonkalı çoxlaylı, yüksək temperaturda birgə yanmış, aşağı temperaturda yanmış, silikon əsaslı, PCB çox qatlı substrat və s..
Hibrid inteqral sxemlərin ekoloji stress çatışmazlığı rejimlərinə əsasən komponentlər və qalın film keçiriciləri, komponentlər və nazik film keçiriciləri, substrat və korpus arasında substratın çatlaması və qaynaq çatışmazlığı nəticəsində yaranan elektrik açıq dövrə nasazlığı daxildir.Məhsulun düşməsi nəticəsində yaranan mexaniki təsir, lehimləmə əməliyyatından yaranan termal zərbə, substratın əyilməsinin qeyri-bərabərliyi nəticəsində yaranan əlavə gərginlik, substrat və metal korpus və birləşdirici material arasında istilik uyğunsuzluğundan yaranan yanal dartılma gərginliyi, substratın daxili qüsurları nəticəsində yaranan mexaniki gərginlik və ya istilik gərginliyinin konsentrasiyası, potensial zərər substratın qazılması və yerli mikro çatların kəsilməsi nəticəsində yaranır, nəticədə keramika substratın xas mexaniki gücündən daha çox xarici mexaniki stresə səbəb olur ki, nəticə uğursuzluqdur.
Lehim strukturları təkrarlanan temperatur dövriyyəsi streslərinə həssasdır, bu da lehim təbəqəsinin termal yorğunluğuna səbəb ola bilər, nəticədə bağlanma gücünün azalması və istilik müqavimətinin artması ilə nəticələnir.Çevik lehimin qalay əsaslı sinfi üçün, temperatur tsiklik stressinin rolu lehim təbəqəsinin termal yorğunluğuna səbəb olur, lehimlə birləşdirilmiş iki strukturun termal genişlənmə əmsalı uyğunsuzdur, lehimin yerdəyişməsi deformasiyası və ya kəsmə deformasiyasıdır, dəfələrlə sonra, yorğunluq crack genişləndirilməsi və uzadılması ilə lehim qat, nəticədə lehim qatının yorğunluq uğursuzluq aparıcı.
2.4 Diskret qurğular və inteqral sxemlər
Yarımkeçirici diskret qurğular geniş kateqoriyalara görə diodlara, bipolyar tranzistorlara, MOS sahə effektli borulara, tiristorlara və izolyasiya edilmiş qapı bipolyar tranzistorlarına bölünür.İnteqrasiya edilmiş sxemlər geniş tətbiq sahəsinə malikdir və funksiyalarına görə üç kateqoriyaya bölünə bilər, yəni rəqəmsal inteqral sxemlər, analoq inteqral sxemlər və qarışıq rəqəmsal-analoq inteqral sxemlər.
1) Diskret qurğular
Diskret qurğular müxtəlif növlərə malikdir və onların müxtəlif funksiyaları və prosesləri ilə əlaqədar olaraq, uğursuzluq performansında əhəmiyyətli fərqlərlə öz xüsusiyyətlərinə malikdir.Bununla birlikdə, yarımkeçirici proseslərin yaratdığı əsas cihazlar kimi, onların uğursuzluq fizikasında müəyyən oxşarlıqlar var.Xarici mexanika və təbii mühitlə əlaqəli əsas nasazlıqlar termal parçalanma, dinamik uçqun, çip lehimləmə çatışmazlığı və daxili qurğuşun bağlanma çatışmazlığıdır.
Termal parçalanma: Termal parçalanma və ya ikincil parçalanma yarımkeçirici güc komponentlərinə təsir edən əsas uğursuzluq mexanizmidir və istifadə zamanı zərərin çoxu ikincil parçalanma fenomeni ilə əlaqədardır.İkinci dərəcəli parçalanma irəli meylli ikinci dərəcəli parçalanmaya və tərs meylli ikincil parçalanmaya bölünür.Birincisi, əsasən cihazın öz istilik xüsusiyyətləri ilə, məsələn, cihazın dopinq konsentrasiyası, daxili konsentrasiyası və s., ikincisi isə kosmik yük bölgəsində (məsələn, kollektorun yaxınlığında) daşıyıcıların uçqun çoxalması ilə əlaqədardır, həm də bunlardan həmişə cihazın daxilində cərəyanın konsentrasiyası ilə müşayiət olunur.Belə komponentlərin tətbiqi zamanı istilik qorunmasına və istilik yayılmasına xüsusi diqqət yetirilməlidir.
Dinamik uçqun: Xarici və ya daxili qüvvələr səbəbindən dinamik dayandırma zamanı, sərbəst daşıyıcı konsentrasiyasının təsiri ilə cihazın daxilində baş verən cərəyanla idarə olunan toqquşma ionlaşma hadisəsi, bipolyar cihazlarda, diodlarda və IGBT-lərdə baş verə bilən dinamik uçquna səbəb olur.
Çip lehiminin çatışmazlığı: Əsas səbəb, çip və lehimin müxtəlif istilik genişlənmə əmsallarına malik fərqli materiallar olmasıdır, buna görə də yüksək temperaturda istilik uyğunsuzluğu var.Bundan əlavə, lehim boşluqlarının olması cihazın istilik müqavimətini artırır, istilik yayılmasını daha da pisləşdirir və yerli ərazidə qaynar nöqtələr əmələ gətirir, qovşaq temperaturunu yüksəldir və elektromiqrasiya kimi temperaturla əlaqəli nasazlıqlara səbəb olur.
Daxili qurğuşun birləşməsinin pozulması: əsasən bağlanma nöqtəsində korroziya çatışmazlığı, isti və nəmli duz çiləyici mühitdə su buxarının, xlor elementlərinin və s.Temperatur dövrü və ya vibrasiya nəticəsində yaranan alüminium bağlayıcıların yorğunluq qırılması.Modul paketindəki IGBT ölçüsü böyükdür və düzgün olmayan şəkildə quraşdırılıbsa, stress konsentrasiyasına səbəb olmaq çox asandır və modulun daxili keçiricilərinin yorğunluq sınığı ilə nəticələnir.
2) İnteqrasiya edilmiş dövrə
İnteqral sxemlərin uğursuzluq mexanizmi və ətraf mühitin istifadəsi böyük bir əlaqəyə malikdir, rütubətli bir mühitdə rütubət, statik elektrik və ya elektrik dalğaları nəticəsində yaranan zərər, mətnin çox yüksək istifadəsi və radiasiya olmadan radiasiya mühitində inteqral sxemlərin istifadəsi müqavimətin gücləndirilməsi də cihazın uğursuzluğuna səbəb ola bilər.
Alüminiumla əlaqəli interfeys effektləri: Silikon əsaslı materiallara malik elektron cihazlarda, dielektrik film kimi SiO2 təbəqəsi geniş istifadə olunur və alüminium tez-tez qarşılıqlı əlaqə xətləri üçün material kimi istifadə olunur, SiO2 və alüminium yüksək temperaturda kimyəvi reaksiya olacaq, belə ki, alüminium təbəqəsi nazikləşir, əgər SiO2 təbəqəsi reaksiya istehlakı səbəbindən tükənərsə, alüminium və silikon arasında birbaşa təmas yaranır.Bundan əlavə, qızıl qurğuşun məftil və alüminium qarşılıqlı əlaqə xətti və ya alüminium birləşdirmə teli və boru qabığının qızıl örtüklü qurğuşun telinin bağlanması Au-Al interfeys kontaktını yaradacaqdır.Bu iki metalın müxtəlif kimyəvi potensialına görə, uzunmüddətli istifadədən və ya 200 ℃-dən yuxarı yüksək temperaturda saxlandıqdan sonra müxtəlif metallararası birləşmələr əmələ gəlir və onların şəbəkə sabitləri və istilik genişlənmə əmsalları səbəbindən bağlanma nöqtəsində müxtəlif olur. böyük bir gərginlik, keçiricilik kiçik olur.
Metalizasiya korroziyası: Çipdəki alüminium birləşmə xətti isti və rütubətli mühitdə su buxarı ilə korroziyaya həssasdır.Qiymətin dəyişdirilməsi və asan kütləvi istehsal sayəsində bir çox inteqral sxemlər qatranla örtülmüşdür, lakin su buxarı alüminium birləşmələrinə çatmaq üçün qatrandan keçə bilər və xaricdən gətirilən və ya qatranda həll olunan çirklər metal alüminium ilə hərəkət edir. alüminium birləşmələrin korroziyası.
Su buxarının yaratdığı delaminasiya effekti: plastik IC, plastik material və metal çərçivə və çip arasında delaminasiya effektinə əlavə olaraq (ümumiyyətlə "popkorn" effekti kimi tanınır) plastik və digər qatran polimer materialları ilə əhatə olunmuş inteqral sxemdir. qatran materialı su buxarının adsorbsiya xüsusiyyətlərinə malik olduğundan, su buxarının adsorbsiyası nəticəsində yaranan delaminasiya effekti də cihazın sıradan çıxmasına səbəb olacaqdır..Uğursuzluq mexanizmi yüksək temperaturda plastik sızdırmazlıq materialında suyun sürətlə genişlənməsidir ki, plastik və onun digər materiallardan yapışması arasında ayrılması və ciddi hallarda plastik sızdırmazlıq gövdəsi partlayacaq.
2.5 Kapasitiv rezistiv komponentlər
1) Rezistorlar
Ümumi qeyri-dolama rezistorlar rezistor gövdəsində istifadə olunan müxtəlif materiallara görə dörd növə bölünə bilər, yəni ərinti növü, film növü, qalın film növü və sintetik tip.Sabit rezistorlar üçün əsas uğursuzluq rejimləri açıq dövrə, elektrik parametrlərinin sürüşməsi və s.;potensiometrlər üçün isə əsas nasazlıq rejimləri açıq dövrə, elektrik parametrlərinin sürüşməsi, səs-küyün artması və s. olur. İstifadə mühiti həmçinin rezistorun yaşlanmasına gətirib çıxaracaq ki, bu da elektron avadanlıqların ömrünə böyük təsir göstərir.
Oksidləşmə: Rezistor gövdəsinin oksidləşməsi müqavimət dəyərini artıracaq və rezistorun yaşlanmasına səbəb olan ən mühüm amildir.Qiymətli metallardan və ərintilərdən hazırlanmış rezistor gövdələri istisna olmaqla, bütün digər materiallar havadakı oksigenlə zədələnəcəkdir.Oksidləşmə uzunmüddətli təsirdir və digər amillərin təsiri tədricən azaldıqda oksidləşmə əsas amilə çevriləcək və yüksək temperatur və yüksək rütubətli mühitlər rezistorların oksidləşməsini sürətləndirəcək.Dəqiq rezistorlar və yüksək müqavimət dəyərinə malik rezistorlar üçün oksidləşmənin qarşısını almaq üçün əsas tədbir sızdırmazlığın qorunmasıdır.Sızdırmazlıq materialları qeyri-üzvi materiallar, məsələn, metal, keramika, şüşə və s. olmalıdır. Üzvi qoruyucu təbəqə nəm keçiriciliyinə və hava keçiriciliyinə tam mane ola bilməz və yalnız oksidləşmə və adsorbsiyada gecikdirici rol oynaya bilər.
Bağlayıcının yaşlanması: Üzvi sintetik rezistorlar üçün üzvi bağlayıcının qocalması rezistorun dayanıqlığına təsir edən əsas amildir.Üzvi bağlayıcı, əsasən, rezistorun istehsal prosesi zamanı istilik müalicəsi ilə yüksək polimerləşmiş termoset polimerinə çevrilən sintetik qatrandır.Polimerin yaşlanmasına səbəb olan əsas amil oksidləşmədir.Oksidləşmə nəticəsində yaranan sərbəst radikallar polimerin molekulyar bağlarının menteşələnməsinə səbəb olur ki, bu da polimeri daha da müalicə edir və onu kövrək edir, nəticədə elastiklik itirilir və mexaniki zədələnir.Bağlayıcının bərkidilməsi rezistorun həcminin kiçilməsinə, keçirici hissəciklər arasında təmas təzyiqinin artmasına və təmas müqavimətinin azalmasına səbəb olur, nəticədə müqavimət azalır, lakin bağlayıcının mexaniki zədələnməsi də müqaviməti artırır.Adətən bağlayıcının bərkiməsi əvvəl baş verir, mexaniki zədələnmə sonra baş verir, buna görə də üzvi sintetik rezistorların müqavimət dəyəri aşağıdakı nümunəni göstərir: mərhələnin əvvəlində bir qədər azalma, sonra artıma çevrilir və artım tendensiyası var.Polimerlərin qocalması temperatur və işıqla sıx bağlı olduğundan, sintetik rezistorlar yüksək temperatur mühiti və güclü işıq təsiri altında qocalmanı sürətləndirəcək.
Elektrik yükü altında yaşlanma: Rezistora yük tətbiq etmək onun yaşlanma prosesini sürətləndirəcək.DC yükü altında elektrolitik hərəkət nazik film rezistorlarına zərər verə bilər.Elektroliz yivli rezistorun yuvaları arasında baş verir və rezistor substratı qələvi metal ionları olan keramika və ya şüşə materialdırsa, ionlar elektrik sahəsinin təsiri altında yuvalar arasında hərəkət edir.Rütubətli bir mühitdə bu proses daha şiddətli şəkildə davam edir.
2) Kondansatörlər
Kondansatörlərin nasazlıq rejimləri qısaqapanma, açıq dövrə, elektrik parametrlərinin pozulması (o cümlədən tutumun dəyişməsi, itki bucağının toxunuşunun artması və izolyasiya müqavimətinin azalması), maye sızması və qurğuşun korroziyasının qırılmasıdır.
Qısa qapanma: Yüksək temperaturda və aşağı hava təzyiqində dirəklər arasındakı kənarda uçan qövs kondensatorların qısa qapanmasına səbəb olacaq, əlavə olaraq xarici şok kimi mexaniki gərginlik də dielektrikdə keçici qısaqapanmaya səbəb olacaq.
Açıq dövrə: Rütubətli və isti mühitin yaratdığı qurğuşun naqillərinin və elektrod kontaktlarının oksidləşməsi, nəticədə aşağı səviyyədə əlçatmazlıq və anod qurğuşun folqasının korroziya qırılması.
Elektrik parametrlərinin pozulması: Rütubətli mühitin təsiri nəticəsində elektrik parametrlərinin pozulması.
2.6 Lövhə səviyyəli sxemlər
Çap dövrə lövhəsi əsasən izolyasiya edən substratdan, metal məftillərdən və müxtəlif təbəqələri birləşdirən məftillərdən, lehim komponentlərindən "yastıqlardan" ibarətdir.Onun əsas rolu elektron komponentlər üçün daşıyıcı təmin etmək, elektrik və mexaniki birləşmələrin rolunu oynamaqdır.
Çap dövrə lövhəsinin uğursuzluq rejiminə əsasən zəif lehimləmə, açıq və qısa qapanma, qabarma, lövhənin parçalanması, lövhə səthinin korroziyası və ya rənginin dəyişməsi, lövhənin əyilməsi daxildir.
Göndərmə vaxtı: 21 noyabr 2022-ci il