IRFH5210TRPBF

1.Daha aşağı keçirici itkilər
2.Daha yaxşı istilik yayılmasını təmin edir
3. Artan Etibarlılıq
4. Artan Güc Sıxlığı
5.Multi-Vendor Uyğunluğu
6.Asan istehsal
7. Ətraf mühitə daha uyğundur
8. Artan Etibarlılıq

İstehsalçı Hissə nömrəsi: IRFH9310TRPBF
İstehsalçı / BrendInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Təsvir hissəsi:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Qurğuşunsuz Status / RoHS Status: Qurğuşunsuz / RoHS Uyğundur
Stok Vəziyyəti: Yeni orijinal, 12000 ədəd Stok Var.
Göndərmə: Honq Konq
Çatdırılma yolu: DHL/Fedex/TNT/UPS
Məhsul Atribut Atribut Dəyəri Atributu seçin
Hissə nömrəsi IRFH9310TRPBF
İstehsalçı / Brend Beynəlxalq Düzləşdirici (Infineon Technologies)
Stok Miqdarı 12000 ədəd Ehtiyat
Kateqoriya Diskret Yarımkeçirici Məhsullar > Tranzistorlar - FET-lər, MOSFETlər - Tək
Təsvir MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Qurğuşunsuz Status / RoHS Status: Qurğuşunsuz / RoHS Uyğundur
Eni - İçəridə -55°C ~ 150°C (TJ)
Gərginlik/Cərəyan - Çıxış 1 PQFN (5x6)
Tolerantlıq 5250pF @ 15V
Quyruq Tipi P-Kanal
Addım Bucağı MOSFET (Metal Oksid)
Temperatur Infineon Texnologiyaları kiçil
SFP/XFP Növü ±20V
Uzaqdan İdarəetmə qabiliyyəti HEXFET®
Pitch - Kabel Səthi Montajı
Digər Adlar Qurğuşunsuz / RoHS Uyğundur
Digər adlar 1
Osilator Tipi 8-PowerVDFN
DAC sayı 30V
Minimum mayenin xüsusi çəkisi -
Cütləşmə Oriyentasiyası 4.6 mOhm @ 21A, 10V
İstehsalçı Hissə nömrəsi IRFH9310TRPBFDKR-ND
Uzunluq - Barrel Digi-Reel®
Lampa Rəngi ​​4.5V, 10V
Yüksək yan gərginlik - Maks (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funksiya 58nC @ 4.5V
Bobin Gücü Aktivdir
Kanal Kapasitansı (CS(söndürülmüş), CD(söndürülmüş)) 3.1W (Ta)
Kart oxuyucu növü 2.4V @ 100µA
Xüsusiyyətlər və Faydalar
Xüsusiyyətlər Nəticə Faydaları
Aşağı RDSon (≤ 4.6mΩ) Aşağı Keçirici İtkilər
Sənaye-Standart PQFN Paketi Çox Təchizatçı Uyğunluğu
RoHS Uyğundur Tərkibində Qurğuşun, Bromid və Halojen yoxdur
nəticələnir
Qeyd
Forma Kəmiyyəti
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm lent və çarx 4000
Sifariş verilə bilən hissənin nömrəsi Paket Tipi Standart Paket
VDS -30 V
RDS(on) maks
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipik) 110 nC
RG (tipik) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Mütləq Maksimum Reytinqlər
Parametr vahidləri
VDS Drenajdan Mənbəyə Gərginlik
VGS Gate-to-Source Gərginliyi
ID @ TA = 25°C Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Davamlı Drenaj Cərəyanı, VGS @ -10V (Paket Məhduddur)
IDM impulslu drenaj cərəyanı
PD @TA = 25°C Gücün Dağılması
PD @ TA = 70°C Gücün Dağılması
Xətti azalma faktoru W/°C
TJ Əməliyyat Qovşağı və
TSTG Saxlama Temperatur Aralığı
Təkrarlanan reytinq;impuls eni maks.qovşaq temperaturu.
Başlanğıc TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Pulse eni ≤ 400µs;vəzifə dövrü ≤ 2%.
1 düymlük kvadrat mis lövhəyə quraşdırıldıqda.
Rθ təxminən 90°C TJ-də ölçülür.
YALNIZ DİZAYN YARDIMI üçün, istehsal sınağına tabe deyil.